序號

儀器設備名稱

性能指標、技術參數(shù)及要求、配件備件附件要求

1

高溫DSC/TG同步熱分析儀

一、技術性能指標

1. 溫度范圍：室溫—1500℃

▲2. 爐體：耐腐蝕鉑爐體，垂直爐體結構，頂部裝樣系統(tǒng)；可以擴展雙爐體，且兩個爐體可同時安裝在主機上。

3. 氣體流向：吹掃氣流由下往上同逸出氣體自然流向一致，適合于做聯(lián)用分析，可以與采購人的FTIR和GC-MS聯(lián)用

▲4. 下置式超微量電子天平，天平稱量范圍：最大35g

▲5. 全量程天平分辨率：0.1μg

▲6. 熱焓精度：± 1%（標準金屬）

▲7. DSC 靈敏度：1μW

▲8. 溫度精度：0.1℃（標準金屬）

9. 加熱速率：0 —50K/min

10. 測試氣氛：靜態(tài)或動態(tài)；氧化、還原、惰性、真空

▲11. 真空度：獨立法蘭真空接口，真空度可達10-4 mbar

12. 恒溫水浴：溫度穩(wěn)定性±0.03℃

13. 樣品支架：配置高精度TG-DSC 樣品支架，可進行比熱測試

14. 氣路：三路氣體流量計，軟件記錄氣體流量和控制氣體自動切換

15. 內核漢化的中英文操作軟件，用于儀器控制和數(shù)據分析，可自由切換軟件的不同語言操作界面

16. 配備遠程控制系統(tǒng)，可通過手機、平板電腦等遠程控制儀器操作、查看和處理測試數(shù)據等

17.配置數(shù)據處理器一臺。配置不低于臺式（i5-6500 4G 1T 1 DVDRW 千兆網卡 WIN7 64位）19.5英寸

二、主要配置

1. 同步熱分析儀主機    1臺

2. 儀器操作和數(shù)據分析軟件   1套

3. 鉑爐體      1套

4.▲ TG-DSC樣品支架, 可測試比熱， 1套

5. 恒溫水浴，帶制冷功能   1臺

6. 溫度及熱焓校正標樣，包含8種標準金屬   1套

7. 比熱測試軟件         1套

8. 比熱標樣     1套

9. 氧化鋁坩堝   20套

10.鉑坩堝    4套

11.數(shù)據處理器  1套（用來安裝DTA主機軟件）

12.▲另配一套差熱分析儀專用支架

2

阻抗分析儀

1▲頻率范圍  1 MHz 至 1 GHz（可升級到3 GHz）

1.1基本精度  1 GHz±0.65%

1.2阻抗測試范圍  120 mΩ 至 52 kΩ（10% 精度）

1.3▲阻抗測量參數(shù)      |Z|、||、θ、R、X、G、B、L、C、D、Q、|Γ|、Γx、Γy、θΓ、Vac、Iac、Vdc1、Idc1

1.4▲測量時間不大于   2.2 毫秒/點

1.5校準能力  開路/短路/50 Ω/低損耗電容器

1.6夾具補償  開路/短路、夾具電長度、端口延伸

1.7▲測試結果顯示      可顯示不少于1601個測試點、不少于4 個通道和 4 條跡線數(shù)據分析功能    等效電路分析、極限線測試

介電/磁性材料測量功能      |εr|、εr'、εr''、tanδ(ε)、|μr|、μr'、μr''、tanδ(μ)

1.8▲溫度特征測量功能      可在 -55 ºC 至 +150 ºC 的溫度范圍內做高精度的溫度特征分析

1.9 顯示屏    10.4 英寸彩色 LCD 觸摸屏外部接口      USB (前面 2 個, 后面 4 個)、LAN、USBTMC、GPIB、24 位 I/O

2材料測試夾具

2.1 ▲頻率范圍    1MHz至 1 GHz

2.2最大電壓：±42V

2.3▲工作溫度： -55 ºC 至 +150 ºC

2.4端子配置（約）：7mm

2.5補償：開路、短路和負載

2.6 ▲待測件直徑：大于15mm

2.7 ▲待測件厚度：介于0.3~3mm之間

2.8▲環(huán)境控制箱：溫度范圍：-20～+150℃

2.9內尺寸：不小于300×300×250（W×H×Dmm）

2.10▲材料測試軟件    測試參數(shù)       介電常數(shù): εr’、εr”、tan δ

磁導率: μr’、μr”、tan δμ

S 參數(shù): 對數(shù)幅度、線性幅度、相位、展開相位、群時延、史密斯圓圖、極坐標圖、實部、虛部和 SWR軌跡運算功能+、-、*、/、平均值和標準偏差軌跡數(shù)據顯示：以表格形式顯示動態(tài)數(shù)據軌跡

數(shù)據顯示：提供參考、功能和拖框比例縮放的游標便于檢測關鍵數(shù)據

2.10配套附件：射頻測試線纜、轉接頭、數(shù)據傳輸線

2.11▲為保證試驗的數(shù)據穩(wěn)定性和一致性所有參數(shù)都只要一臺儀器完成所有的參數(shù)測試，不接受拼湊儀器測試相對的參數(shù)

2.12▲配置LCR表配合阻抗分析儀測試材料的相關性質

2.13▲環(huán)境控制箱：溫度范圍：-20～+150℃

         內尺寸約：300×300×250（mm、W×H×D）

         內容積：22.5L

2.3▲為方便用戶，需要廠家提供項目所在地省級廠家售后服務機構證明。

3

鐵電壓電分析儀

一：硬件技術指標

1：▲主機內置測試電壓：±9.99V

2：12位的任意波形輸出

3：每50us 100點的信號采集能力

4：每10us100點的內部數(shù)據交換處理能力

5：脈沖寬度: 50us~1s

6：▲通過Vision操作軟件實現(xiàn)的最終測量精度為0.1%

7：▲18位的模數(shù)轉換器

8：內部同步時鐘的響應速度25ns

9：同步實現(xiàn)極化電壓輸出和信號采集

二：測試功能及技術指標

2：Hysteresis Task:(電滯回線測試)

2.1▲測量頻率：0.03Hz~5kHz

2.2測量電壓波形：可任意編輯

2.3電荷測量解析度范圍: 10fC~276uC

2.4材料測量面積解析度范圍2.76cm2

2.5在使用外部高壓電源時測量電荷的最大解析度為27.6mC

三：PUND test: (記憶特性測試)

3.1五脈沖系列測試鐵電體記憶特性

3.2脈沖測試: 50us~1s*

3.3 0V上升到5V的最快時間: 40us

3.4  5個脈沖的電壓,寬度,預設直流偏壓和偏置時間可以任意設定

脈沖之間最大可以設定40000秒的延遲

四：Leakage Task: (漏電流測試)

4.1漏電流-偏置電壓測試

4.2漏電流-時間測試

4.3分辨率: 2pA

4.4最大漏電流測試:3.75mA

五Fatigue Task: (疲勞測試)

5.1▲最大疲勞測量頻率: 20kHz

5.2▲測量電壓波形：可任意編輯

5.3最小脈沖寬度: 50us

Pulse Task:(單脈沖測試)

執(zhí)行一個用戶定義的測量脈沖或寫脈沖

脈沖的電壓,寬度,預設直流偏壓和偏置時間可以由用戶設定

多個單脈沖可以連起來執(zhí)行用戶定義的殘留試驗和印痕試驗

C(V) Task (電容-偏壓測試)； I(V) Task (電流-偏壓測試)；

Retention Task(殘留測試)Imprint Task(印痕測試)

六：▲配置光學平臺，不小于1m*1m，確保系統(tǒng)能夠穩(wěn)定的運行。

七：高壓模塊：高壓保護回路+高壓放大器+夾具

7.1▲高壓保護回路

高電壓下保證主機和測試頭免受破壞

7.2高壓電源放大器

7.2.1電壓輸出范圍：0~9.99kV直流或交流峰值

7.2.2電流輸出范圍：0~2mA直流或交流峰值

7.2.3直流電壓增益：1000V

7.2.4直流電壓增益精度：優(yōu)于量程的0.1%

7.2.5 10% to 90%的變化速度：高于30V/microsecond

7.2.6大信號帶寬：直流到優(yōu)于400Hz, 1%失真

7.2.7電壓顯示比：輸出高壓的1/1000

7.3塊材測試夾具：

7.3.1▲溫度范圍：-200℃到250℃

7.3.2 可耐10KV高壓

7.3.3內部可放置硅油

7.3.4良好的絕緣性

八、壓電模塊：軟件+光纖位移系統(tǒng)

8.1壓電測試功能

數(shù)據存儲，數(shù)據畫圖，數(shù)據顯示，測量程序設定

8.2軟件:▲用AFM在納米尺度測量試樣的壓電性能

位移傳感器連接軟件小信號測量功能

8.3▲光纖振動和位移測試系統(tǒng)

九、探頭模組

9.1.工作站1套（至少：CPU/Intel Xeon E3-1225 3.1GHz，16GB 內存，500GB 硬盤；SATA SuperMulti DVD 讀寫光驅，24” LCD 顯示器）、輸出設備1套。